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新京报讯（记者吴梦真）新京报记者从北京市公安局丰台分局获悉，近日，一名女子竟拿着假户口簿去派出所办业务，被当场控制。目前，该女子因涉嫌使用虚假身份证件、盗用身份证件被丰台警方依法刑事拘留。女子持假户口簿到派出所办理业务。图源：北京市公安局丰台分局据民警介绍，5月4日，一名女子到丰台分局右安门派出所户籍大厅称要补打自己女儿的户口页。户籍民警接过户口簿后发现了异常。户籍民警卢警官说，这名女子拿来的户口簿印章疑似伪造，户口簿编号也不对。经过和户籍底票核对，证实这确实是一本伪造的户口簿。据了解，该女子多年前在外省市办理了假户口簿WWW,2015TYC,COM，之后就将假户口簿放在家中，近日需要为孩子办理留学，翻出户口簿发现没有女儿那一页，此时她也忘记这是那本假的户口簿，就带着假户口簿来派出所补打。目前，该女子因涉嫌使用虚假身份证件、盗用身份证件被丰台警方依法刑事拘留。编辑 甘浩校对 张彦君
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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