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中新网厦门5月12日电 (杨伏山 刘柯萍)在全球化加速与科技变革的浪潮中，家族文化传承正面临前所未有的挑战。如何实现家族精神文化真正意义上的传承，如何借助公益搭建家庭代际沟通的枢纽，让家可持续？11日，第一届善传承圆桌共创会在厦门举行，超过100名专业学者、企业家、公益从业者、媒体代表等济济一堂，共同关注这个焦点。
本次圆桌共创会，由福建省善才公益慈善研究院主办，福建省同心慈善基金会善才家办基金资助，北大国发院社会行动与创新实验室提供学术支持，为探索慈善在家族传承中如何发挥作用，如何构建家族的共同愿景，如何让善业长青、家可持续提供了更多的可能和更清晰的目标，也为公益事业未来的发展方向提供了建议和方案。(完)
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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