WWW,AG3300,COM
WWW,AG3300,COM最新消息
WWW,AG3300,COM
WWW,AG3300,COM
新京报讯（记者张静姝 通讯员齐然 热合曼江·居玛）“警察同志，快帮帮我，我的孩子突然晕倒了，需要马上到医院抢救……”5月10日18时50分，新疆乌什县公安局巡逻防控队执勤民警在南关社区附近执勤时，有位女士慌张地跑到执勤点前求助，称自家孩子在逛街时突然晕倒。接到救助后，民警立即前往了解情况，在最短时间内用警车将孩子送往医院，为抢救争取了时间，孩子最终转危为安。 孩子被送往医院后进行了及时抢救。 图源：乌什公安民警跟随求助的女士到达现场后，发现有一名七八岁的小孩躺在地上，脸色惨白，浑身抽搐，情况十分紧急。民警立即将晕倒的孩子抱上警车，拉响警笛，开启警灯，紧急护送孩子前往医院。 警车上，民警一边通过对讲机向指挥中心汇报，一边请求沿途路口警力给予协助，迅速开辟救援通道，将孩子安全送达医院。 到达医院后，民警抱起孩子奔向抢救室，由于送医及时，为孩子赢得了最佳救治时间，经过医生的紧急抢救，孩子最终转危为安。 待孩子恢复意识，大家才终于放心，家长对民警表示感谢，民警叮嘱家长照顾好孩子后返回岗位执勤。编辑 刘倩 校对 吴兴发
WWW,AG3300,COM
“各级党委(党组)要把思政课建设摆上重要议程，各级各类学校要自觉担起主体责任，不断开创新时代思政教育新局面，努力培养更多让党放心、爱国奉献、担当民族复兴重任的时代新人。”习近平总书记近日对学校思政课建设作出重要指示，从确保党的事业和社会主义现代化强国建设后继有人的战略高度，全面总结了党的十八大以来学校思政课建设取得的成绩，并提出了殷切希望，为新征程上推进思政课建设指明前进方向。
党的十八大以来，在习近平总书记亲切关怀下，我国学校思政课建设体系不断完善，“大思政课”高质量推进，各类深入浅出、引人入胜的思政课入脑入心，深受学生喜爱。如中央广播电视总台和教育部共同打造的《开学第一课》，持续深化“思想+艺术+技术”创作理念，不断升级“新课堂”，鼓励青少年接过历史接力棒，广受好评……全党全社会关心支持思政课建设的氛围日益浓厚，汇聚起为党育人、为国育才的强大力量。
新时代新征程上，思政课建设面临新形势新任务，必须要有新气象新作为。我们要坚持思政课建设与党的创新理论武装同步推进，全面推动习近平新时代中国特色社会主义思想进教材进课堂，入耳入脑入心。要将党的创新理论和实践融入大中小学思政课一体化教学，遵循教育规律WWW,AG3300,COM，循序渐进、螺旋上升设计课程目标，贴近学生思想、学习和生活实际，让学生爱听爱学、听懂学会，持续做好习近平新时代中国特色社会主义思想深化、内化、转化工作，正本清源、固本培元。
青少年是最活跃的群体，思政课建设要向改革创新要活力。要始终坚持马克思主义指导地位，以中国特色社会主义取得的举世瞩目成就为内容支撑，以中华优秀传统文化、革命文化和社会主义先进文化为力量根基，把道理讲深讲透讲活，守正创新推动思政课建设内涵式发展WWW,AG3300,COM，推动人工智能等现代信息技术在思政课教学中应用，运用新媒体新技术使思政课教学内容与实践活起来，不断提高思政课的针对性和吸引力。
一年之计，莫如树谷；十年之计，莫如树木；终身之计，莫如树人。各地区各部门要深入学习贯彻习近平总书记关于教育的重要论述，聚焦培养什么人、怎样培养人、为谁培养人这个根本问题，把思政课建设作为党领导教育工作的重中之重WWW,AG3300,COM，以“大思政课”拓展全面育人新格局，把思政小课堂和社会大课堂结合起来，扛起政治责任，狠抓工作落实，推动形成思政课建设的强大合力，努力培养更多让党放心、爱国奉献、担当民族复兴重任的时代新人。
WWW,AG3300,COM
盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
