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来源:WWW,7669ZZ,COM | 2024年11月22日 23:41
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首次活动邀请北京史研究会常务理事、北京古都学会影像专委会主任李欣走进中国传媒大学,进行主题为《北京中轴线的前世今生》的讲座。李欣指出,北京中轴线的规划建设反映了中华文明对于国家、城市、民众之间理想秩序的追求和塑造,以及由此形成的礼制关系。它不仅见证了中华民族多元一体格局的形成,也见证了中国从封建王朝走向现代国家的历史变革。北京中轴线以其丰富的历史遗存,生动展现了中国传统规划理念对于城市发展的持久影响力。

“中轴线文化遗产大讲堂进校园”活动作为2024“‘京’彩文化青春绽放”行动计划之一,面向参与“‘京’彩文化”的26所高校本硕博学生展开,依托北京中轴线文化遗产传承与创新大赛的专家智库资源,邀请故宫博物院原院长单霁翔、北京市文物局党组书记陈名杰、北京市政府参事室参事于平、清华大学建筑学院教授吕舟等业内知名专家,从文物博物、遗产保护、城市规划、历史民俗、文化传播等领域,多维度、多视角解读中轴线文化内涵与遗产价值。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

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同时,第八届全球物联网黑科技大赛在研讨会上启动。自2017年创办以来,全球物联网黑科技大赛已经连续举办了七届,聚集了近7000家企业参赛。据介绍,第八届全球物联网黑科技大赛将在北京中关村信息谷的支持下,围绕“寻找新质者”主题,选拔出一批具有高度创新性、聚焦行业痛点、难点,兼具经济和科技双重可行性的潜力项目,并全力推动参赛企业和获奖企业积极融入京津冀协同发展的潮流,为滨海新区经济发展作出贡献。

编辑:莘莺卿责任编辑:太叔雄启