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发言人指出，美方所谓报告提及的所谓“制裁”，全属卑劣政治操作，妄图恫吓维护国家安全的香港特区人员，明目张胆地对中国内政和香港事务作出干涉，违反国际法和国际关系基本准则。美国“国会及行政当局中国委员会”公然叫嚣，向履职尽责的香港特区人员作出所谓“制裁”，其拙劣政治戏码和卑劣用心昭然若揭，特区政府予以强烈谴责。香港特区对所谓“制裁”嗤之以鼻，无惧任何威吓，坚定不移履行维护国家安全的责任。

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李家超表示，香港现在社会普遍安全稳定，是发展经济的最佳时期。香港现在正处于经济转型期，必须创新、创造、应变、懂变。他之所以举行这次集思会，并以经济发展为题，是希望与行政会议非官守成员更深入和更集中地探讨具前瞻性、策略性的政策，为香港拼经济、拼发展。感谢各成员踊跃提出意见、积极参与讨论，为特区政府出谋献策。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。