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据悉，十年来，北京把“节水优先”理念贯穿到经济社会发展的全过程和各领域。在全市经济总量跨越3万亿元、4万亿元两大台阶的情况下，生产生活用水量保持28亿立方米以内，万元地区生产总值用水量下降到9.3立方米，有力支撑了水与经济、社会和生态的可持续发展。当前，北京已连续22年保持“全国节水型城市”称号。
十年来，北京大力推进节水型社会、节水型城市建设，社会各界参与节水的热情高涨，多措并举开展节水行动。街道、社区村基层组织积极开展节水知识宣传，推广生活节水小妙招；各级各类学校通过主题宣传、社会实践等把节水教育融入学生德育教育，节水型高校创建比例达70%以上；住宿、餐饮等生活服务企业主动开展节水培训学习，自觉增强节水意识；各区、各单位大力实施自备井置换、老旧小区供水管网改造和高效节水器具换装；环卫绿化再生水利用率达到30%以上，全市再生水利用水平全国领先。(完)
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项WWW,HONGKUNKJ,COM，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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