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澎湃新闻5月9日曾在《“欧洲自然科学院院士”井喷背后，“外国院士”为何有市场？》中报道，记者查询发现，“欧洲自然科学院”官网上此前被指“超三分之一疑似中国人”的“院士电子百科全书”页面，5月7-8日一度消失不见；5月9日，“院士电子百科全书”再次出现在欧洲自然科学院的官网上，但记者对比发现，名单中有部分疑似中国人的人名不见了。
陈志文直言不讳地指出，恰恰是一部分中国人或华裔WWW,8262388,COM，巧妙地利用了中外文化、制度和信息差，把院士做成了一门生意，于是类似的科学院与院士就如雨后春笋般泛滥。很多类似的国外的科学院、工程院院士申报评选活动中都有中国人或者华人的身影，“属于中国人专骗中国人”，而且这类机构多数都选择和权威机构接近的名字，很容易混淆。
在陈志文看来，类似的问题短期内难以杜绝，但随着这类现象的不断被曝光和关注WWW,8262388,COM，社会大众、相关部门都会逐渐认识、了解这种中文文化、制度等方面差异。可利用的信息差小了，这类的“院士”头衔可能会慢慢失去市场。相关权威部门也有必要及时发声，科普这类差别。但遗憾的是，包括大量的官方机构和负责人也普遍缺乏这方面的认知，屡屡被愚弄，尤其在落后地区更为明显。
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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