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首次活动邀请北京史研究会常务理事、北京古都学会影像专委会主任李欣走进中国传媒大学，进行主题为《北京中轴线的前世今生》的讲座。李欣指出，北京中轴线的规划建设反映了中华文明对于国家、城市、民众之间理想秩序的追求和塑造，以及由此形成的礼制关系。它不仅见证了中华民族多元一体格局的形成，也见证了中国从封建王朝走向现代国家的历史变革。北京中轴线以其丰富的历史遗存，生动展现了中国传统规划理念对于城市发展的持久影响力。
“中轴线文化遗产大讲堂进校园”活动作为2024“‘京’彩文化青春绽放”行动计划之一，面向参与“‘京’彩文化”的26所高校本硕博学生展开，依托北京中轴线文化遗产传承与创新大赛的专家智库资源WWW,5312,COM，邀请故宫博物院原院长单霁翔、北京市文物局党组书记陈名杰、北京市政府参事室参事于平、清华大学建筑学院教授吕舟等业内知名专家，从文物博物、遗产保护、城市规划、历史民俗、文化传播等领域，多维度、多视角解读中轴线文化内涵与遗产价值。
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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