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冒用官方名义造假行骗，损害群众利益。4月以来，一些不法分子冒用国家机关名义、假扮相关工作人员，编造诈骗“话术剧本”，企图行骗牟利。如全国多地有群众接到所谓“网信办”来电，不法分子假冒网信办工作人员，以“群众手机涉嫌违法违规、要求配合调查否则停机处理”等为由，借机询问群众个人信息实施诈骗。另有网传民政部养老服务司开展“颐养家园建设”“个人普惠养老金方案”等所谓“官方行为”，实际上均系不法分子实施的违法诈骗行为；“养老保险断缴3个月待遇清零”“单次住院不超过15天”等假消息以讹传讹，歪解国家医保政策，损害群众合法权益。

炒作灾害谣言危言耸听，煽动恐慌情绪。4月，广东、江西、福建等南方多地持续多轮强降雨，台湾、新疆、云南等地接连发生地震，相关灾害消息牵动网民关注目光，一些别有用心者利用网民的关心与共情，不惜编造谣言骗取流量，不仅混淆视听、误导公众，还引发了不必要的恐慌情绪。如广东出现持续性大暴雨局部特大暴雨后，“清远英德洪水致码头崩堤”“绥江河原水水源不足，将进行分时段供水”“东莞暴雨8人死亡”等与事实不符的图文短视频在网上流传，夸大甚或虚构致灾情况；再如台湾花莲县海域7.3级地震、云南迪庆香格里拉市4.7级地震发生后，“台湾7.3级地震导致重庆某桥梁晃动、浙江宁波一小区外墙开裂”“香格里拉市4.7级地震中有数百人受伤”等与地震相关的不实信息在网络流传，恶意扰乱公共秩序，造成不良社会影响。

利用科技概念制造噱头，误导公众认知。4月，涉及天文、文物、健康、环保、农业、教育等诸多领域的假科技、伪科学信息流传于网上，造谣传谣者利用人们对新技术的好奇和向往心理，或夸大其词、或扭曲事实、或利用AI凭空编造，企图蒙蔽群众、牟取私利。比如，“中国‘天眼’变成垃圾场”纯属张冠李戴，“三星堆挖出酷似‘飞碟’青铜器”完全由AI合成，“福州福飞北路核辐射超标”则更是博取眼球的恶意炒作，扰乱广大群众的正确认知与理性判断。还有一些商家为带货牟利，利用伪科学炒概念，宣称“量子赋能农作物，抗病抗灾还增产”“‘体考神器’喝一口就能及格”，损害公众利益，社会影响恶劣。此外，在食品健康领域，诸如“食用蜂蜜或花粉防过敏”“鸡蛋煮老后有层‘黑膜’，吃了会致癌”等说法流传，让人将信将疑，实则都是不符合科学、不利于健康的说法。

“公款姓公，一分一厘都不能乱花；公权为民，一丝一毫都不能私用。”接过历史的接力棒后，习近平将作风建设摆到“关系民心向背，决定着党的群众基础”的高度，以上率下，激浊扬清。这些年，中央政治局每年召开民主生活会，习近平主持会议并发表讲话，带头开展批评和自我批评。今年初，在二十届中央纪委三次全会上，习近平提出以学习贯彻新修订的纪律处分条例为契机，在全党开展一次集中性纪律教育。当下，党纪学习教育正如火如荼开展，引导党员、干部真正把纪律规矩转化为政治自觉、思想自觉、行动自觉。

习近平从父母身上汲取力量，努力做一个纯粹的、有益于人民的人。他曾连续12年资助一个贫困生圆“读书梦”，还先后8次看望、5次回信，给予这名学生支持鼓励。在宁德工作时，他“三进下党”WWW,68J6,COM，拍板为乡里修公路、建水电站。任总书记后，他要求各级党员干部直接驻到村里，“一对一”开展扶贫，引领中国创造了人类减贫史上的奇迹。

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两岸旅游、人员往来恢复常态，是台湾百工百业生计所需。自2008年大陆居民赴台旅游正式启动、两岸旅游进入“双向奔赴”阶段以来，陆客赴台络绎不绝，成为带动台湾旅游经济增长的重要动能。如今台湾近4000家旅游业者中，大多数直接或间接从事与大陆往来的业务。作为台湾观光业最重要的市场，大陆此次所释善意，切实为正遭遇瓶颈的台湾业者带来“久旱逢甘霖”的曙光。

2016年，大陆居民赴台人次出现8年来首降，其原因无外乎民进党当局上台后改变大陆政策，破坏两岸交流气氛，影响民众赴台意愿；近年，台当局借防疫之名，单方面全面禁止大陆居民赴台，也禁岛内旅行社经营赴大陆团队游业务；疫情防控转段后，大陆频释积极信号以推动两岸旅游重启，岛内观光业者翘首以盼，寄望当局采取切实措施、解决实际问题，岂料一纸“6月1日起暂停台湾团客赴陆禁令”，令旅客和业者措手不及、大失所望。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。