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陈杰指出,上海拥有历史悠久的“上海牌”底蕴、开放大气的城市品格和高端优质的创新资源,面向未来,将充分发挥品牌在加快新型工业化建设中的支撑作用,把握资源禀赋,以品牌增效为着力点,增强高端供给优势,积极探索和推动将工业文化与品牌建设融合创新,打造符合全球产业趋势的“上海牌”;把握品牌赋能,加快运用AIGC等新一代信息技术手段,推动上海制造领军品牌国际化运营,推进品牌创新发展,带动产业升级;把握品牌形象,依托中国品牌日等平台,打造辐射全球的引力场,助力更多品牌走出国门、全球共享,构筑生机勃勃的品牌生态圈,更好赋能经济社会高质量发展。
当日,“品牌创新与发展”论坛同时举行。上海品牌发展研究中心执行主任邢冬生在发表主题演讲时认为,上海的品牌中心地位是由上海的历史、经济、文化、社会、地理等因素决定的,是得天独厚的禀赋。上海要在高起点上持续性高质量发展,必须按照新质生产力发展要求,寻找新的发展之路。在他看来,具体要通过开展品牌质押、信用、评估、征信、品牌作价投资、品牌基金等全方位的品牌金融服务,助力企业尤其是中小企业品牌发展。同时,在上海建设中国或上海品牌展览馆,为品牌专卖店、体验店、实验店的集中展示提供标志性场馆,为企业、行业、机构、政府发布品牌法律、政策、信息、动态、报告、数据等提供平台。
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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。
盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。
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