WWW,5048999,COM

来源:WWW,5048999,COM | 2024年11月22日 04:22
WWW,5048999,COM | 2024/11/22

WWW,5048999,COM最新消息

WWW,5048999,COM

WWW,5048999,COM

WWW,5048999,COM

习近平指出,2017年6月,中巴建交掀开两国关系新篇章。建交近七年来,两国关系快速发展、成果丰硕,给两国人民带来实实在在好处。事实证明WWW,5048999,COM,中巴建交符合两国根本利益,推进中巴关系、坚持一个中国原则已成为两国社会各界普遍共识。中巴是真诚互信的好朋友、互利共赢的好伙伴。我高度重视中巴关系发展,愿同穆利诺当选总统开展友好交往,引领中巴关系继往开来持续深入发展,更好造福两国人民。

WWW,5048999,COM

WWW,5048999,COM

本次展览分为“人道与共”“所以看见”“新质博爱”三个主题展区。其中,“人道与共”展区是对中国红十字事业尤其是新时代以来发展情况的概述;“所以看见”展区以红十字志愿者的视角,记录了新时代红十字人道行动中的人物故事,请观众感受人道光辉下生命旺盛生长的力量;“新质博爱”展区呈现了技术革新和理念创新在拓展人道服务边界,增加人道关怀温度等方面的尝试和探索。

WWW,5048999,COM

WWW,5048999,COM

盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究,包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用,2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室(Power Electronic Device Lab, PEDL),是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目,包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项,在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果,包括最早报道了碳化硅(SiC)功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块(600V~6000V/最高300A,SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET)、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V(不包括衬底0.36 mΩ•cm2,品质因子FOM达国际前列)SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

编辑:林琳飘责任编辑:柏以淑