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许将，字冲元，其先祖许令骥为河南固始县人氏，随王潮、王审知入闽，后定居闽清，传至许将的曾祖时，移居福州城东虎园(属闽县)，故世称许将为闽县人。许将26岁时，考中嘉祐八年(1063年)癸卯科状元，是历史上福州地区第一位状元，也是福建历史上最年轻的一位状元WWW,32149B,COM，从此踏上了他长达48年，历经宋仁宗、宋英宗、宋神宗、宋哲宗、宋徽宗的五朝宦海生涯。

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论文的选题一般应与我国各类企业经营管理能力提升与高质量发展要求紧密结合。建议 MBA 学生选取本人所在企业或产教融合培养环节所在企业（如：实习实践基地单位）作为论文分析对象，倡导和鼓励学生通过撰写学位论文理清工作思路，提升对工作单位管理实践的归纳总结、管理问题的分析和解决WWW,32149B,COM，传播优秀中国管理实践的经验。

另外，上述基本要求指出，MBA 学位论文一般应是一篇应用研究型的专业学位论文，与学术型硕士学位论文存在较大差异。MBA学位论文要求学生立足管理实践，针对特定企业组织识别一个真实存在的管理问题或有意义的实践，恰当运用理论框架和分析工具进行系统性分析，并在此基础上提炼具有可操作性的问题解决方案或实践总结。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。