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癌症本身可能导致疼痛，但如果只关注治疗肿瘤，就会在抗肿瘤治疗显著起效之前，让患者长时间处于疼痛之中，甚至直到生命的最后一刻也未能享受片刻安宁。而治疗肿瘤的方法，如化疗和放疗，虽然是攻击肿瘤的有力武器，却也常常带来副作用，例如感觉神经敏感化和周围神经损伤。这些状况会导致剧烈的神经痛，加重患者的症状，如食欲减退、睡眠障碍、体质虚弱、免疫力下降，还可能引发更多疼痛问题，如带状疱疹性神经痛等。时间一长，疼痛与虚弱互为因果、形成恶性循环，无论肿瘤是否得到控制，患者的身体状态都是每况愈下。

早在1986年，世界卫生组织（WHO）就提出了根据癌痛程度分别给予不同强度镇痛药物的治疗策略，即“癌痛的三阶梯药物治疗方案”。时至21世纪，随着癌症治疗技术的发展和患者生存期的延长，出现了更多复杂的疼痛病例，“三阶梯方案”也暴露出了一些问题，如部分患者疼痛难以得到充分控制、出现不可耐受的药物不良反应等。为进一步提升癌症患者的生活质量，优化全面疼痛管理，疼痛医学专家们创新性地开展了更为复杂和先进的疼痛管理技术，如神经毁损、鞘内药物输注、脊髓电刺激以及联合使用多种非传统药物，如抗抑郁药物、抗惊厥药和局部麻醉药等来处理特定类型的疼痛。这一策略被称为“癌痛治疗的第四阶梯”。第四阶梯的加入扩展了疼痛管理的工具和资源，为那些经标准治疗仍然无法充分缓解疼痛的患者提供了更多的选择。

那么，出现疼痛后一定要按阶梯从低到高逐一递增吗？实践中并非如此教条，而是根据患者的需求进行个体化处理：可以逐步升级，也可以直接从高阶梯开始，有效控制疼痛后再降回低阶梯。随着第四阶梯治疗方法的广泛应用，研究发现，局部介入镇痛方法能够显著降低患者疼痛感受，缩短疼痛时间，同时减少阿片类药物的用量及其不良反应。因此，早期实施介入治痛，而非将其视为癌痛治疗的最后选择，能够让患者获得更大的益处！

当前的先进镇痛技术中，植入式鞘内药物输注系统（IDDS）是治疗顽固性癌痛的有力武器。该系统由两部分组成：一是植入到蛛网膜下腔的微导管，二是连接于微导管的储药囊和驱动装置。在电脑程序的控制下，驱动装置按照设定速率将储药囊中的镇痛药物通过微导管输注到蛛网膜下腔。药物与蛛网膜下腔内的脑、脊髓和神经根结合，直接发挥镇痛作用。与口服或静脉用药相比，IDDS的镇痛有效率高且药物不良反应发生率低。这项技术已在国内得到越来越广泛的应用。

在我们的实践中，还应用了可收集药物输注泵运行参数的硬件信息管理系统，以及可与患者或家属沟通、掌握当前疼痛情况及不良反应的随访软件系统。专业的疼痛医护团队整合上述数据，个体化地分析判断癌痛管理中的优点与不足，形成改进“医嘱”并通过互联网反馈给患者及家属，完成疼痛管理的闭环。在医患双方的共同努力和新技术加持之下，"居家镇痛"能够帮助癌症患者以更高的生活质量走完生命的最后旅程。

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盛况长期从事硅基和宽禁带电力电子芯片、封装及应用研究，包括芯片设计与工艺、器件封装与测试以及在智能电网、轨道交通、新能源汽车、工业电机、各类电源等领域中的应用，2009年回国创建浙江大学电力电子器件实验室（Power Electronic Device Lab, PEDL），是国内较早开展碳化硅和氮化镓电力电子器件研发的团队。

盛况团队承担了电力电子器件及应用领域的多个国家级、省部级和横向合作项目，包括国家重大科技专项、国家863主题项目及课题、国家重点研发计划项目及课题、自然科学基金委杰出青年基金、自然科学基金委重点项目等十余项，在器件理论、芯片研制、器件封测和应用方面取得了一些成果，包括最早报道了碳化硅（SiC）功率集成芯片、在国内较早自主研制出了系列SiC芯片和模块（600V~6000V/最高300A，SBD、JBS、MPS、JFET、MOSFET）、提出沟槽型超级结SiC肖特基二极管设计方法并报道了1300V（不包括衬底0.36 mΩ•cm2，品质因子FOM达国际前列）SiC超级结二极管、提出新型垂直型氮化镓晶体管结构并报道了FOM处国际前列的芯片、基于新型单驱动方法的10kV/200A碳化硅MOSFET多芯片串-并联模块、首款10kVA基于全碳化硅器件的高压电力电子变压器、合作开发了高压大容量硅基IGBT芯片等。

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从校园到病房，从护理小白到成为病人的依靠，陶雅雯认为最重要的是从学生心态到工作心态的转变。刚开始WWW,HAA8228,COM，面对家属和病人，她不知道怎么沟通，有些畏手畏脚。后来她发现问题在于对工作内容的熟悉程度不够，还要更多地站在病人和家属的角度考虑问题，她开始下苦功了解自己的病人情况，向资深护士请教，多找机会和医生交流，慢慢得到家属和病人的信任。